利用SIC涂层 提升电子半导体及化合物半导体石墨制品性能

用途介绍

　（金属有机化合物化学气相沉���)简称，是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。承载衬底的石墨基座需要表面气相沉积碳化硅即"PERMA-KOTE"

n用途要求

　　MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下,用射频、热辐射、感应等方式加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),衬底温度为500-1200℃，H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区，进行气相沉积，要求石墨基座具有优良耐热性、导热性及耐氨气腐蚀性。"PERMA-KOTE"石墨基座已经被广泛的使用在MOVD设备中，"PERMA-KOTE"是指采用东洋炭素专有的化学气相沉积（CVD)工艺在高度纯化的各项同性石墨的表面沉积碳化硅薄膜的产品。

SIC涂层电子半导体化合物半导��石墨制品具有优异的性能和广泛的应用前景。通过在石墨制品表面涂覆SIC涂层，可以提高产品的耐磨性、耐高温性和化学稳定性，使其在高温高压环境下依然能够保持良好的性能表现。此外，SIC涂层还具有良好的导热性和电绝缘性能，有效提高了电子半导体和化合物半导体器件的工作效率和稳定性。这种先进的涂层技术为石墨制品的应用领域拓展提供了新的可能性，将为电子产业带来更高效、更可靠的解决方案。

SIC涂层技术可以在电子半导体和化合物半导体石墨制品上形成一层坚固耐磨的保护层，提高其耐高温、耐腐蚀和导热性能。这种涂层不仅可以延长产品的使用寿命，还可以提升产品的稳定性和可靠性，从而在多种热力学和电学应用中发挥更优秀的性能，广泛应用于各种高科技领域。

宝丰县金石新材料有限公司是一家集销售、应用开发、产品加工的石墨专业厂家，以雄厚的技术力量、精良的加工设备、科学的管理理念、完善的检测手段、优良的质保体系，确保用户的产品质量和工艺要求，产品以性能可靠、外形美观、价格合理受到各界用户广泛好评。

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