导读：很多朋友不知道芯片电容中的高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究，如何选择芯片电容。射频易商城RFeasy.cn为你解答芯片电容中的高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究
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高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究②
金属化工艺中, 高介薄型陶瓷芯片电容的电极一般采用薄膜工艺制备, 为了防止电容电极中的金属离子在电压的作用下迁移至介质内部产生漏电流导致性能恶化, 通常会在陶瓷与金属之间选择合适的材料充当过渡层, 过渡层既可以阻挡金属原子的迁移, 又可以提高金属电极膜层的附着力, 保证在后续的切割和装配过程中不会发生电极卷翘和膜层起层的问题 。本文选用高介薄型陶瓷介质材料, 研究了其在金属化工艺中过渡层材料、 过渡层厚度对产品绝缘性能和介电性能的影响, 通过测试分析优选出较优的膜系结构,为高介薄型陶瓷芯片电容生产提供了工艺基础。此外, 为实现高介薄型陶瓷芯片电容的精密切割,本工作还从切割固定方法、 载片材料选择等方面入手,优化了切割工艺, 为微小器件的精密切割提供了工程指导。
1 实验
1. 1 陶瓷芯片电容电极金属化选用绝缘电阻率大于 10 10 Ω· cm( 室温, 25 V) ,介电常数( ε) 为 2000, 电容温度变化率 ΔC/C25 ≤ 12%( -55~125 ℃) , 介电损耗( tanδ) ≤0. 01 的高介陶瓷基片材料( 记为 HT) 为研究对象, 采用三种膜系结构制备电 极, 分别 是 TiW/Au 结构、 TiW/Ni/Au 结构 和TaN/TiW/Au 结构, 对应样品标记为 A、 B、 C。 电极制备采用磁控溅射工艺, 控制膜系结构中的过渡层厚度为 400 nm。 电极导体 Au 采用电镀加厚的方式制备,控制厚度在 2 μm。 介质基片金属化完成后, 进行精密切割, 划切成芯片电容并进行性能测试。为表征过渡层厚度对电容性能的影响, 本工作选取温度稳定性较好、 制备难度较低的 TiW/Au 膜系作为过渡层, 控制过渡层的厚度, 制备完过渡层后观察表面覆盖情况, 并进行绝缘电阻偏压特性测试。
推荐产品一、丽芯微电 3300pF, ≥1G@25V, 双面不留边 单层芯片电容
型号：C11-50-25V-332
容值/容差：3300pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥1G@25V
损耗@频率：≤2.5@1MHz
封装尺寸：1.270*1.270*0.150 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
推荐产品二、丽芯微电 33pF, ≥100G@100V, 双面不留边 单层芯片电容
型号：C11-15-100V-330
容值/容差：33pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥100G@100V
损耗@频率：≤4.0@1KHz
封装尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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