导读：很多朋友不知道芯片电容中的超级电容器芯片制作方法，如何选择芯片电容。射频易商城RFeasy.cn为你解答电容的制作方法简介。
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超级电容器芯片的制作方法简介③
开发长循环寿命、高比能量和高功率密度的储能器件一直是诸多领域研究者关注的热点课题之一。随着社会科技的发展，如电动汽车等许多领域对电源功率的要求大大提高，已经远远超出了电池的承受能力。传统的电容器虽然功率非常大，但其能量密度有限，也不能满足实际需要。超级电容器，也叫电化学电容器，其性能介于传统电容器和电池之间，兼有电池高比能量和传统电容器高比功率的特点。超级电容器在混合动力汽车，大功率雷达，移动电话信息备份电源，笔记本电脑和无电池遥控器等方面有着重要应用。随着微型化、柔性化电子器件的发展，市场对与之匹配的微型储能器件的需求也越来越大，超级电容器的小型化显著减少了占据面积，因此更多的功能性器件有机会与Microsoft群集服务(MSCs) 集成到微电子技术中。这种在有限空间/占地面积内的多功能集成可以极大地促进微电子器件的发展，提高工作效率和可靠性，减少维护/能源成本。然而，单个微型储能器件的输出电压和电流有限，难以满足需要高电压、大电流驱动的应用需求。
推荐产品一、丽芯微电3300pF, ≥1G@25V, 单面留边 单层芯片电容
型号：C12-50-25V-332
容值/容差：3300pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥1G@25V
损耗@频率：≤2.5@1MHz
封装尺寸：1.270*1.270*0.150 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
推荐产品二、丽芯微电330pF, ≥1G@50V, 单面留边 单层芯片电容
型号：C12-25-50V-331
容值/容差：330pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥1G@50V
损耗@频率：≤2.5@1MHz
封装尺寸：0.635*0.635*0.178 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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